薄膜四探針測定儀GB/T14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法標配:測試平臺一套、主機一套 電源線數據線一套。

雙電測試四探針電阻率測試儀用于測試電阻、電導率等電學參數的儀器。它的工作原理是利用四個探針分別接觸被測物體的四個點，形成一個閉合電路，通過測量電流和電壓的變化來計算出被測物體的電學參數。

金屬膜四探針方阻電阻率檢測儀生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析半導體材料質量的工具；液晶顯示，自動測量和系數補償，并帶有溫度補償功能，自動轉換量程；

高量程體積表面積電阻率測試儀中心為圓柱體,直徑為50mm, 標準中沒有規定高度，但一般是40mm圓柱體外為一圓環,圓環內徑為60mm,外徑為80mm, 標準中沒有規定高度，但一般是40mm

雙電四探針電阻測試儀符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數據進行雙電測分析，自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，它與單電測直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對于微區的測試。